HY27UF081G2A-TPCB是由Hynix(海力士)生产的一款NAND Flash存储芯片。该型号主要应用于需要高密度存储的设备中,例如数码相机、MP3播放器、固态硬盘等嵌入式系统。它采用了先进的制造工艺,在确保高性能的同时也具备较低的功耗。
该芯片支持标准的NAND Flash接口协议,具有较快的数据传输速度和较高的可靠性,适合大批量数据存储需求的应用场景。
容量:1Gb (128MB)
工作电压:Vcc=2.7V~3.6V, VccQ=1.7V~1.9V
封装形式:BGA 63 balls
数据接口:8-bit NAND interface
页大小:2KBytes + 64 Bytes ECC
块大小:16KPages
擦写次数:100,000 cycles
数据保持时间:10 years
HY27UF081G2A-TPCB是一款基于NAND技术的闪存芯片,其显著特点包括:
1. 高存储密度:单颗芯片提供了1Gb的存储容量,能够在小型化设备中提供大容量存储解决方案。
2. 快速读写性能:采用优化的NAND架构,确保了高速的数据访问和传输能力。
3. 低功耗设计:通过改进的电路结构,降低了芯片在工作和待机状态下的功耗,非常适合便携式电子设备。
4. 可靠性高:支持内置ECC(Error Correction Code),有效提升数据的完整性和可靠性。
5. 小型化封装:使用BGA封装形式,能够节省PCB空间,满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
HY27UF081G2A-TPCB广泛适用于以下领域:
1. 消费类电子产品:如数码相机、摄像机、MP3/MP4播放器等需要存储大量媒体文件的设备。
2. 嵌入式系统:包括工控设备、医疗仪器以及各种需要稳定存储功能的嵌入式平台。
3. 固态存储:可作为SSD(固态硬盘)中的存储单元,为计算机和其他高性能计算设备提供快速的数据存取能力。
4. 移动通信:智能手机和平板电脑等移动终端中用作内部存储的一部分,以支持应用程序和多媒体文件的存储需求。
HY27US0812A, K9F1G08U0M, MT29F2G08AAC