存储容量：512MB
　　工艺制程：根据产品生命周期，可能基于50nm或更先进制程
　　接口类型：ONFI（Open NAND Flash Interface）兼容
　　电压范围：通常为2.7V至3.6V或1.8V至3.6V（根据具体版本）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C），取决于具体应用版本
　　读取速度：最高可达约25MB/s
　　写入速度：最高可达约20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约为2ms
　　擦写寿命：一般为10,000次编程/擦除周期
　　数据保留时间：10年以上

HY27UA08561M-TPCB 是一款高性能的NAND闪存芯片，其核心特性包括大容量存储、高速读写能力以及良好的可靠性。
　　首先，该芯片提供512MB的存储容量，适用于中高端嵌入式设备和存储扩展应用。其容量适中，能够在成本和性能之间取得良好平衡。
　　其次，该芯片支持ONFI兼容接口，确保与多种主控芯片的兼容性和互操作性。这使得其在系统集成时更加灵活，能够适应不同的控制器平台。
　　再次，HY27UA08561M-TPCB具备低功耗特性，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。其电源管理设计优化了工作电流和待机电流，延长了设备的电池寿命。
　　此外，该芯片支持多种错误检测与纠正机制（如ECC），确保数据的完整性和可靠性。这在工业和汽车应用中尤为重要，可有效防止数据丢失或损坏。
　　最后，其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种环境条件下的长期运行。

HY27UA08561M-TPCB 主要用于需要非易失性大容量存储的设备和系统，包括：
　　? 固态硬盘（SSD）：作为存储介质用于数据存储和缓存，提升系统性能。
　　? 嵌入式系统：用于工业控制、智能终端、车载导航系统等场景中的程序和数据存储。
　　? 存储卡和U盘：作为主存储芯片用于消费类电子产品，如数码相机、MP3播放器等。
　　? 网络设备：用于路由器、交换机等设备中的固件存储和日志记录。
　　? 工业自动化设备：用于数据采集、过程控制和设备配置存储。
　　该芯片的高可靠性和宽温工作范围，使其在汽车电子、医疗设备和物联网（IoT）应用中也具有良好的适应性。

HY27UA08481M-TPCB
　　HY27UB08561A-TPCB
　　K9F5608U0C-SIB0
　　TC58NVG1S3BFT00