容量：1Gbit
　　接口类型：8位并行 NAND 接口
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　读取时间：最大 50ns
　　写入时间：最大 50ns
　　存储单元类型：MLC（多层单元）

HY27UA081G1M-TCD 具备多种实用特性，使其适用于多种应用场景。首先，该芯片采用MLC（多层单元）技术，这使其在成本和存储密度之间取得良好的平衡，适合中等性能需求的应用。MLC NAND闪存具有较高的存储密度，同时保持了相对较低的成本，使其成为消费类电子产品中广泛使用的存储解决方案。
　　其次，该芯片的8位并行接口提供了高速数据传输能力，使其能够满足对读写速度有要求的应用。并行接口的设计简化了控制器与存储芯片之间的通信，提高了整体系统的效率。
　　此外，HY27UA081G1M-TCD 的工作温度范围为0°C至70°C，符合大多数消费电子设备的运行环境要求，确保其在常规使用条件下具备良好的稳定性和可靠性。芯片的TSOP（薄型小外形封装）设计使其适用于空间受限的设备，同时具备良好的散热性能，有助于提高设备的长期稳定性。
　　该芯片的电源电压为3.3V，降低了功耗并提高了能效，适用于需要节能设计的设备。同时，其最大读取和写入时间为50ns，确保了较高的数据访问速度，适用于需要快速响应的应用场景。

HY27UA081G1M-TCD 常用于需要非易失性存储解决方案的消费类电子产品。其典型应用包括固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、存储卡（如SD卡、CF卡）以及嵌入式系统中的数据存储模块。在工业控制设备、便携式媒体播放器、数字相机和智能电视等设备中，该芯片也广泛用于提供稳定可靠的存储支持。此外，由于其高速访问能力和较低的功耗，该芯片也适用于需要频繁读写操作的场景，例如数据记录仪、监控设备和手持终端设备。

K9F1G08U0B-TIB0, NAND1G-SLC, TC58NVG1S3BFT0T