APT14F100B 时间：2025/7/25 19:59:57 阅读：12

APT14F100B 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件专为高效率电源转换和功率开关应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。APT14F100B 采用 TO-220 封装，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：14A
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.075Ω（典型值）
　　功耗 (Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220

特性

APT14F100B 具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。该特性在高电流应用中尤为重要，因为它减少了热量的产生，提升了热稳定性。
　　其次，该器件的最大漏源电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用。此外，APT14F100B 的最大栅源电压为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时具备较高的抗电压冲击能力。
　　该 MOSFET 的 TO-220 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还确保了在紧凑型电路设计中的易用性。封装结构坚固，适用于多种 PCB 安装方式，同时具备良好的电气隔离性能。
　　APT14F100B 的最大功耗为 150W，能够在较高温度环境下稳定运行。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，使其在工业和汽车应用中具备良好的环境适应性。这种宽温度范围也确保了在极端工作条件下器件的可靠性。
　　此外，该 MOSFET 具备快速开关特性，降低了开关损耗并提高了系统的动态响应能力。这使其在高频开关应用中表现优异，如开关电源（SMPS）、电机驱动器和逆变器等。

应用

APT14F100B 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用领域：电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统、逆变器、开关电源（SMPS）、UPS 系统以及工业自动化设备。由于其优异的电气特性和封装设计，APT14F100B 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统中。在这些应用中，APT14F100B 能够提供高效的功率转换和可靠的开关性能，满足现代电子设备对能效和稳定性的高要求。