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HY27SF161G2M 发布时间 时间:2025/7/16 12:22:36 查看 阅读:8

HY27SF161G2M 是一款由 Hynix(现代半导体)生产的 NAND Flash 存储芯片。该芯片主要用于数据存储,具有高密度、低功耗和高速读写的特点,广泛应用于消费电子、工业控制及嵌入式系统中。这款芯片提供大容量的存储空间,同时具备良好的可靠性和耐用性,适用于需要频繁数据擦写的场景。

参数

容量:1Gb (128MB)
  接口类型:NAND Flash
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSOP-48
  页大小:512 字节
  块大小:16KB
  数据保留时间:10 年
  擦写周期:100,000 次

特性

HY27SF161G2M 使用 NAND Flash 技术,相较于 NOR Flash 具有更高的存储密度和更低的成本。其页大小为 512 字节,适合小数据块的快速读写操作。
  该芯片支持多级编程技术,能够显著提升数据传输速度,并且通过内置的 ECC(错误校正码)机制保证了数据的可靠性。
  它的工作电压范围较宽,适应各种供电环境,同时具备低功耗特性,非常适合电池供电的便携式设备。
  此外,该芯片在工业级温度范围内 (-40°C 至 +85°C) 均能稳定运行,因此被广泛用于对环境适应性要求较高的场合。

应用

HY27SF161G2M 的主要应用领域包括但不限于:
  1. 数字相机和摄像机中的照片和视频存储。
  2. MP3 播放器和其他便携式媒体设备的数据存储。
  3. 工业控制系统中的固件和数据存储。
  4. 嵌入式系统中的外部存储扩展。
  5. 固态硬盘(SSD)原型设计中的缓存或主存储单元。
  由于其高可靠性和耐用性,该芯片还被用于医疗设备和汽车电子等高性能需求的行业。

替代型号

K9F1G08U0B, MX29LV320EBTC-90G, W25Q32FW

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