IPA60R280P6是由Infineon(英飞凌)生产的一款MOSFET功率晶体管,采用TO-252 (DPAK)封装。该器件属于P沟道增强型MOSFET,适用于中高电压应用场合,例如开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。其设计优化了导通电阻和开关性能,在效率和散热方面表现出色。
型号:IPA60R280P6
类型:P-channel MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(VDS):600V
最大连续漏极电流(ID):4.9A
导通电阻(RDS(on)):280mΩ
栅极电荷(Qg):15nC
功耗(PD):15W
工作温度范围(TJ):-55℃ 至 +175℃
IPA60R280P6是一款P沟道功率MOSFET,主要特性如下:
1. 高耐压能力:支持高达600V的漏源电压(VDS),能够适应各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻为280毫欧姆,有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能:栅极电荷较小(15nC),可实现快速开关操作,减少开关损耗。
4. 小型化封装:采用TO-252封装,具有良好的热性能和空间节省优势。
5. 宽工作温度范围:能够在-55°C至+175°C之间稳定运行,适合恶劣环境下的应用。
6. 高可靠性:经过严格测试,确保长期使用中的稳定性与一致性。
IPA60R280P6通过优化的电气特性和封装设计,非常适合用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
IPA60R280P6广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的功率级控制。
3. 负载开关:实现对不同负载的精确控制。
4. 电机驱动:用于驱动小型直流电机或步进电机。
5. 过流保护电路:提供过流保护功能以提高系统安全性。
6. 电池管理:用于电池充电和放电路径的控制。
该器件凭借其卓越的电气特性和可靠性,成为多种功率转换和控制应用的理想选择。
IPA60R250P6
IPA60R200P6
IRF650
FDP068N06