容量：8GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达10MB/s
　　擦除速度：单块擦除时间约2ms
　　I/O接口：8位总线
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY27SF082G2B-TPCB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，具备较高的数据存储密度和稳定性。该芯片采用ONFI（Open NAND Flash Interface）标准接口，确保了与多种主控芯片的兼容性。其工作电压范围为2.7V至3.6V，适合多种电源设计环境，具备较强的适应性。
　　该芯片的读取速度可高达50MB/s，能够满足大多数嵌入式系统的数据访问需求，而写入速度最高可达10MB/s，虽然在写入性能上略显保守，但对于多数应用场景已足够使用。擦除速度方面，单块擦除时间约为2ms，提升了整体的存储效率。
　　此外，HY27SF082G2B-TPCB采用TSOP封装形式，尺寸紧凑，适合空间受限的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和消费类电子产品，具有良好的环境适应性和稳定性。该芯片还支持坏块管理，提升了产品的使用寿命和数据可靠性。

HY27SF082G2B-TPCB 主要应用于嵌入式系统、智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器、电子书阅读器以及其他需要非易失性存储器的便携式电子产品。由于其良好的性能和可靠性，该芯片也广泛用于工业控制设备和汽车电子系统中，作为数据存储介质。此外，该芯片也可用于固态硬盘（SSD）和USB存储设备中，提供经济高效的存储解决方案。

K9F8G08U0A, TC58NVG2S0H, MT29F8G08ABAFA