时间：2025/9/14 19:08:33
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BUK7M45-40EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：200A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：130nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7M45-40EX的主要特性之一是其非常低的导通电阻，仅为4.5毫欧，这使得它在高电流应用中具有极低的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，最大漏极电流可达200A，适用于高功率负载的开关控制。
该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，能够在保持低Rds(on)的同时提供较高的热稳定性和可靠性。其栅极电荷仅为130nC，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。
此外，BUK7M45-40EX具有良好的热性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行，其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护。
BUK7M45-40EX广泛应用于各种高功率和高频系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换设备的理想选择。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统等应用。在工业自动化和控制系统中，BUK7M45-40EX可用于高效率电机控制和电源管理模块。
此外，该器件还可用于服务器电源、通信设备电源模块以及太阳能逆变器等高可靠性系统中，以提高整体能效和稳定性。
IRF1405, STP200N4F5, IPB045N04LC
