HY2112-CB 时间：2025/9/2 10:36:21 阅读：34

HY2112-CB是一款由Hymegate Technologies设计的双通道、高边N沟道MOSFET驱动器芯片，主要用于电机驱动、电源管理和工业自动化等高功率应用。该芯片采用了CMOS工艺制造，具备较强的抗干扰能力，适用于需要高效率和高可靠性的系统。HY2112-CB内置两个独立的MOSFET驱动通道，能够提供高驱动电流以确保功率MOSFET的快速导通与关断，从而降低开关损耗。

参数

类型：高边N沟道MOSFET驱动器
　　封装：8引脚SOP
　　电源电压范围：5V至20V
　　输出驱动电流：±200mA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入逻辑电压：兼容3.3V/5V逻辑电平
　　驱动能力：双通道独立控制
　　死区时间控制：支持
　　封装形式：符合RoHS标准

特性

HY2112-CB具有多个关键特性，适用于工业级和汽车级应用。
　　首先，其高边驱动架构允许直接驱动N沟道MOSFET，而无需使用隔离元件（如变压器或光耦），从而简化了电路设计并降低了成本。该芯片的宽电源电压范围（5V至20V）使其适用于多种供电条件下的系统，包括电池供电设备和工业电源系统。
　　其次，HY2112-CB集成了死区时间控制功能，可以有效防止上下桥臂同时导通造成的短路风险。这一功能在H桥电机驱动和DC-DC转换器中尤为重要。死区时间可调，用户可以根据实际需求调整时间以平衡系统效率和安全性。
　　此外，该芯片具有较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于户外设备、自动化控制和车载系统等应用场景。
　　HY2112-CB的输出驱动能力高达±200mA，能够快速驱动大功率MOSFET，减少开关损耗并提高系统效率。该芯片的输入逻辑兼容3.3V和5V电平，便于与微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）连接。
　　最后，HY2112-CB采用8引脚SOP封装，体积小巧，便于PCB布局，并符合RoHS环保标准，适合批量生产。