HY1904P是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能存储器解决方案的一部分。该芯片广泛应用于需要高速数据处理的电子设备中,例如计算机主板、工业控制设备、嵌入式系统等。HY1904P以其稳定性和可靠性著称,适用于各种高性能计算场景。
类型:DRAM
容量:16Mbit
组织结构:1M x 16
电源电压:3.3V
访问时间:5.4ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
HY1904P芯片具有高速访问时间和低功耗设计,适用于需要快速数据处理的系统。其TSOP封装形式有助于减少PCB布局中的空间占用,并提供良好的散热性能。此外,该芯片支持工业级工作温度范围,确保在恶劣环境下也能稳定运行。HY1904P的可靠性和兼容性使其成为多种应用的理想选择,特别是在需要高稳定性和高性能的工业设备中。
该芯片的16Mbit存储容量和1M x 16的组织结构使其能够高效地处理大量数据,适用于需要并行数据访问的应用场景。其3.3V电源电压设计不仅降低了功耗,还提高了系统的整体能效。此外,5.4ns的访问时间使其能够在高速数据传输应用中表现出色,满足了现代电子设备对速度和效率的双重需求。
HY1904P主要应用于工业计算机、网络设备、通信系统、嵌入式控制系统以及其他需要高性能DRAM的电子设备中。其高可靠性和稳定性使其特别适合用于工业和通信领域的关键系统。
HY1904P的替代型号包括HY1904P-5B和HY1904P-5A