类型：HEMT射频功率晶体管
　　最大漏极电流（ID(max)）：15A
　　最大漏-源电压（VDS(max)）：65V
　　工作频率范围：典型工作于800MHz至1GHz
　　输出功率（Pout）：典型为125W（在900MHz）
　　增益（Gp）：约18dB（在900MHz）
　　效率（Efficiency）：典型值超过70%
　　封装形式：气腔陶瓷封装（Ceramic Air Cavity Package）
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.5°C/W

HY1707D具有多项突出的电气和物理特性。首先，其HEMT结构使得该晶体管具备高功率密度和优异的射频性能，适用于高效率放大器设计。其次，该器件在高频下表现出良好的线性度和稳定性，有助于降低信号失真并提高系统性能。此外，HY1707D采用气腔陶瓷封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行，提升了可靠性和寿命。
　　电气方面，HY1707D支持高达65V的漏-源电压，最大漏极电流可达15A，确保其在高功率应用中稳定工作。其高效率（典型超过70%）有助于降低功耗和散热需求，适用于对能效要求较高的通信和工业设备。同时，该器件的增益表现优异，在900MHz频率下可达18dB，使得系统设计更加简洁，减少额外放大级的需求。
　　此外，HY1707D的输入和输出阻抗匹配良好，简化了外围电路的设计，降低了匹配网络的复杂性，提高了设计的灵活性与稳定性。

HY1707D广泛应用于多个射频功率放大领域。在无线通信系统中，它常用于基站、中继器以及DAS（分布式天线系统）中的功率放大模块。此外，该晶体管也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的设备，如射频加热系统、等离子体发生器以及工业测试设备。由于其高效率和高稳定性，HY1707D还可用于广播发射机、无线能量传输系统以及其他需要高功率射频输出的场合。在军事和航空航天领域，HY1707D因其可靠性和宽频带特性，被用于雷达系统和通信设备中的功率放大器。

MRF151G, NXP BLF881, Cree CGH40010F