容量：256K x 4位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：55ns / 65ns / 70ns（根据后缀不同）
　　封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）或TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据宽度：4位
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装引脚数：20
　　最大工作频率：约18MHz（基于访问时间计算）
　　刷新周期：64ms
　　工作模式：异步模式
　　功耗：典型值约120mA

HY0C20C具有典型的DRAM特性，包括较高的存储密度和较低的成本。其异步工作模式意味着其读写操作不依赖于系统时钟，而是通过控制信号进行触发，这使得其在某些嵌入式系统中具有较好的兼容性。此外，该芯片支持标准的DRAM刷新机制，确保数据在断电前得以保留。HY0C20C的封装形式多样，包括SOJ和TSOP，适应了不同的PCB布局需求。虽然其访问时间相对较慢，但其稳定性和可靠性在某些工业控制和老旧设备中仍然受到青睐。
　　另外，HY0C20C的工作电压为5V，这使得它能够与许多老一代的逻辑电路和控制器兼容。其低功耗设计也使其在对功耗有一定要求的嵌入式系统中表现出色。尽管现代系统中已广泛采用更高性能的存储器，如SDRAM和DDR SDRAM，但HY0C20C在一些特定应用中仍然具有一定的实用价值。

HY0C20C主要应用于早期的计算机系统、嵌入式设备和工业控制系统中。由于其容量较小且访问速度较慢，通常不适用于高性能计算环境，但在一些对存储需求较低、对成本和稳定性有较高要求的应用中仍具有优势。例如，该芯片可用于老式工业控制设备、电子测量仪器、嵌入式图形显示模块以及某些老款通信设备中。此外，在一些需要长期维护的老旧系统中，HY0C20C的可替换性和稳定性也使其成为一种可靠的解决方案。尽管现代存储器技术已大幅进步，但在特定场景下，HY0C20C仍然具有一定的市场价值。

TC55V20CFLB-60（Toshiba）、MCM20C256V5A-60（Motorola）、CY62V20C-60（Cypress）、IS62C20C-60（ISSI）