时间：2025/6/29 13:00:33
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HX724-50B-S是一种高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
型号：HX724-50B-S
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：3.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：190W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HX724-50B-S具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，适用于同步整流电路。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 耐热性能优异，能够适应恶劣的工作环境。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的逆变桥或斩波器。
3. DC-DC转换器的核心功率元件。
4. UPS不间断电源系统中的功率管理。
5. 各种工业控制设备中的功率转换与调节。
6. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)及车载充电器(OBC)。
IRFZ44N
STP24NF50
FDP55N50
