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HX2N60 发布时间 时间:2025/9/2 7:24:04 查看 阅读:10

HX2N60是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件采用TO-220或TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的热稳定性和较高的可靠性。HX2N60的设计使其适用于高频开关应用,同时具备较低的导通电阻,从而减少功率损耗。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):600V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):2A(在25℃)
  功耗(PD):50W
  导通电阻(RDS(on)):≤3.0Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-220、TO-252

特性

HX2N60具有低导通电阻,能够在高电压环境下保持较低的导通损耗,提高电源转换效率。其高耐压能力(600V)使其适用于多种高压应用,如AC-DC电源适配器、LED驱动器和马达控制电路。
  此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在较高的环境温度下稳定运行,且具备一定的过载能力。栅极驱动电压范围宽,可在10V至20V之间工作,便于与不同类型的驱动电路匹配。
  HX2N60采用了高压工艺制造,确保在恶劣的工作环境下仍能保持良好的稳定性和可靠性。其封装形式(如TO-220)具备良好的散热性能,适用于需要较高功率耗散的应用场景。
  该器件还具有较低的输入电容和开关损耗,适合用于高频开关电路,从而减小电源系统的体积并提高整体效率。

应用

HX2N60主要应用于以下领域:
  ? 开关电源(SMPS)
  ? AC-DC和DC-DC转换器
  ? LED驱动电路
  ? 电机控制与驱动
  ? 家用电器电源控制
  ? 高压负载开关
  ? 工业自动化设备中的功率控制

替代型号

2N60, 2SK2647, 2SK1318, IRF630, FQP12N60C

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