HX2N60 时间：2025/9/2 7:24:04 阅读：24

HX2N60是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件采用TO-220或TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热稳定性和较高的可靠性。HX2N60的设计使其适用于高频开关应用，同时具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：2A（在25℃）
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.0Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252

特性

HX2N60具有低导通电阻，能够在高电压环境下保持较低的导通损耗，提高电源转换效率。其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压应用，如AC-DC电源适配器、LED驱动器和马达控制电路。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行，且具备一定的过载能力。栅极驱动电压范围宽，可在10V至20V之间工作，便于与不同类型的驱动电路匹配。
　　HX2N60采用了高压工艺制造，确保在恶劣的工作环境下仍能保持良好的稳定性和可靠性。其封装形式（如TO-220）具备良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散的应用场景。
　　该器件还具有较低的输入电容和开关损耗，适合用于高频开关电路，从而减小电源系统的体积并提高整体效率。