您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGA15S125P

FGA15S125P 发布时间 时间:2025/4/29 18:36:25 查看 阅读:1

FGA15S125P 是一款由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SuperFET 技术,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-263 (DPAK),适合表面贴装工艺。
  这款 MOSFET 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用领域。通过优化的制造工艺,FGA15S125P 在导通损耗和开关性能之间实现了良好的平衡。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:9mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-263

特性

FGA15S125P 的主要特性包括以下几点:
  1. 采用 SuperFET 技术,提供更低的导通电阻以减少功率损耗。
  2. 具有非常低的栅极电荷,可实现高效的开关操作。
  3. 支持高频开关应用,适用于现代电力电子设计中的紧凑型解决方案。
  4. 高电流处理能力,能够满足大功率应用的需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到各种工业和消费类电子产品中。
  6. 提供卓越的热性能,有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。

应用

FGA15S125P 广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
  2. 便携式设备中的负载开关,例如笔记本电脑适配器和智能手机充电器。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 通信电源系统中的高效功率转换组件。
  6. 太阳能逆变器场合。

替代型号

FGA15N120L, IRF7729TRPBF, AO4404A

FGA15S125P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGA15S125P参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1250 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)45 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.72V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值136 W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷129 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值-
  • 测试条件-
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3P