FGA15S125P 是一款由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SuperFET 技术,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-263 (DPAK),适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用领域。通过优化的制造工艺,FGA15S125P 在导通损耗和开关性能之间实现了良好的平衡。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:14A
导通电阻:9mΩ
栅极电荷:38nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
封装形式:TO-263
FGA15S125P 的主要特性包括以下几点:
1. 采用 SuperFET 技术,提供更低的导通电阻以减少功率损耗。
2. 具有非常低的栅极电荷,可实现高效的开关操作。
3. 支持高频开关应用,适用于现代电力电子设计中的紧凑型解决方案。
4. 高电流处理能力,能够满足大功率应用的需求。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到各种工业和消费类电子产品中。
6. 提供卓越的热性能,有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。
FGA15S125P 广泛应用于以下几个领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 便携式设备中的负载开关,例如笔记本电脑适配器和智能手机充电器。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 通信电源系统中的高效功率转换组件。
6. 太阳能逆变器场合。
FGA15N120L, IRF7729TRPBF, AO4404A