HVU363A3TRF 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的高性能、低功耗的 CMOS 模拟开关集成电路。该器件属于 HVU 系列,专门设计用于高频信号切换应用,具有出色的信号完整性和快速切换能力。HVU363A3TRF 采用 10 引脚 TDFN 封装,适用于各种通信、测试设备和工业控制系统。
类型:模拟开关
通道数:1
配置:SPDT(单刀双掷)
工作电压:4.5V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TDFN-10
导通电阻(典型值):4Ω
开关时间(典型值):10ns
隔离度(1MHz):45dB
插入损耗(1MHz):0.2dB
最大工作频率:400MHz
HVU363A3TRF 是一款高性能模拟开关,其核心特性在于其优异的高频性能和稳定的开关行为。该器件在设计上采用了先进的 CMOS 工艺,能够在高达 400MHz 的频率下稳定工作,适用于射频(RF)和高速模拟信号的切换。其低导通电阻(典型值为 4Ω)确保了信号在导通路径中的损耗最小化,从而提高了信号完整性。
该器件支持 SPDT(单刀双掷)配置,允许用户在两个输出通道之间快速切换。开关时间仅为 10ns,适用于需要高速响应的应用,如通信系统中的天线切换或信号路由。此外,HVU363A3TRF 在隔离度方面表现出色,1MHz 下的隔离度达到 45dB,这意味着在非导通状态下,信号泄漏极小,确保了系统的稳定性。
该器件的工作电压范围为 4.5V 至 5.5V,使其适用于各种标准的 5V 电源系统,并具备良好的抗电压波动能力。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级温度要求,适用于恶劣环境下的稳定运行。TDFN-10 封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,适合在高密度 PCB 设计中使用。
此外,HVU363A3TRF 的低插入损耗(0.2dB 在 1MHz 下)确保了信号在通过开关时的衰减最小,这对于需要高精度信号传输的应用(如测试仪器和高频测量设备)尤为重要。
HVU363A3TRF 主要应用于需要高频信号切换的场景,如无线通信系统中的射频信号路由、自动测试设备(ATE)中的信号选择、工业控制系统中的多路复用器、音频和视频信号切换、以及便携式电子设备中的低功耗开关电路。其高速特性和低信号损耗使其成为雷达、测试仪器、数据采集系统和射频前端模块的理想选择。
ADG901BRUZ, HMC349AMS8C, MAX4719EKA+T