HVU187 时间：2025/9/7 12:00:25 阅读：6

HVU187是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于高电压和高功率的开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有优异的导通和关断性能，适用于各种工业控制、电源转换以及电力电子系统。HVU187的高耐压能力和低导通电阻特性使其成为设计高效能功率电路的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

HVU187具有多项优异的电气和物理特性。首先，其最大漏源电压为600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。其次，该器件的最大连续漏极电流为7A，能够支持较大的负载电流需求。此外，HVU187的导通电阻为1.2Ω，较低的导通电阻可以减少导通损耗，提高整体系统的效率。在功率耗散方面，HVU187的最大功率耗散为50W，能够在较高负载条件下保持稳定的性能。器件的封装形式为TO-220AB，这种封装不仅具有良好的散热性能，还便于安装在散热片上，从而进一步提升散热效率。HVU187的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有较强的环境适应能力，适用于各种苛刻的工作条件。
　　在栅极控制方面，HVU187的最大栅源电压为±20V，确保了器件在栅极驱动电路中的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体响应能力。HVU187还具备较强的抗过载能力，在短时间过载条件下仍能正常工作，增加了系统的可靠性。

应用

HVU187广泛应用于多个领域，包括电源管理、工业自动化、电机驱动以及消费类电子产品。在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）中的功率开关，能够高效地进行电压转换，适用于AC/DC和DC/DC转换器设计。在工业自动化系统中，HVU187可用于控制高压负载，如继电器、电磁阀和高压LED驱动电路。此外，该器件也适用于电机驱动器中的H桥电路，用于控制电机的正反转和调速。由于其高压特性和高可靠性，HVU187也常见于照明设备，如高压LED驱动电源和电子镇流器中。在消费类电子产品中，HVU187可以用于电源开关控制和电池管理电路，确保设备的稳定运行。