型号：LE88D
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：4.2A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：16A
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：1.2V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：680pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：350pF
　　反向传输电容Crss：100pF
　　栅极电荷Qg：12nC（@VGS=10V）
　　功耗PD：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

LE88D具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为28mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该特性使其特别适用于电池供电设备和高效率电源设计中，有助于延长续航时间并减少散热需求。此外，LE88D采用了先进的硅基沟槽结构，优化了载流子迁移路径，提升了电流承载能力，同时保持较小的芯片尺寸，实现了高性能与小型化的平衡。
　　该器件具有快速的开关响应能力，输入电容和反向传输电容数值较低，使得其在高频开关应用中表现出色，如开关电源（SMPS）、同步整流电路和PWM电机控制等场景下能够有效降低开关损耗，提高系统效率。其栅极阈值电压范围合理（1.2V~2.5V），兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换电路即可直接驱动，简化了外围电路设计。
　　LE88D还具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，在异常工况下仍能维持一定时间的安全运行，增强了系统的可靠性。其SOT-23封装不仅体积小巧，而且具有优良的散热性能，通过PCB布局可实现有效的热传导。综合来看，LE88D是一款性价比高、通用性强的功率MOSFET器件，适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多种应用场景。

LE88D广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等产品的充电管理和负载开关控制；在DC-DC降压或升压转换电路中作为主开关管或同步整流管使用，提升转换效率；也可用于LED驱动电路中实现恒流控制和调光功能。
　　在工业控制领域，LE88D可用于继电器驱动、电磁阀控制和小型电机驱动电路中，凭借其快速响应和低功耗特性，确保控制系统响应迅速且运行稳定。此外，在电池管理系统（BMS）中，LE88D可用于充放电回路的通断控制，防止过流、短路等故障对电池造成损害。
　　由于其小型封装和高可靠性，LE88D也常被用于空间受限的高密度电路板设计中，例如智能穿戴设备、物联网传感器节点和无线通信模块等。在汽车电子中，可用于车载照明控制、车窗升降驱动辅助电路或车载充电器内部电源管理单元。总之，LE88D适用于所有需要低电压、中等电流、高效率开关控制的场合，是现代电子系统中不可或缺的基础功率元件之一。

SI2302,DMG2302,AP2302