HVM14 是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高电压和高效率开关的应用场景。该器件能够在高电压条件下提供卓越的导通性能和快速的开关特性,广泛应用于工业电源、电动汽车(EV)、可再生能源系统、不间断电源(UPS)以及电机控制等领域。HVM14系列的封装设计通常优化了热管理和电气性能,以适应高功率密度的设计需求。
类型:高压MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):典型值为35mΩ
工作温度范围:-55°C 至 175°C
栅极电荷(Qg):典型值为150nC
短路耐受能力:支持
封装形式:TO-247、TO-263(D2PAK)等
HVM14 MOSFET具有多项显著的技术特性,使其在高压应用中表现出色。首先,其高达1200V的漏源电压能力使其适用于高压直流(HVDC)和工业电源等严苛环境。其次,低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,该器件具备优异的短路耐受能力,提升了系统在异常条件下的可靠性。
该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C,使其能够在极端温度条件下稳定运行,适用于户外设备、电动汽车和工业自动化设备等。HVM14的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速开关动作,降低开关损耗,提高开关频率,从而支持更紧凑的功率转换设计。
在封装方面,HVM14常见的封装形式如TO-247和TO-263(D2PAK)不仅具备良好的散热性能,还兼容主流的功率模块设计,便于集成到各种应用电路中。
HVM14 MOSFET主要应用于需要高压、高效率和高可靠性的电子系统中。例如,在电动汽车中,它可用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电机驱动系统;在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风能转换系统中,HVM14能够提供高效的功率转换能力。
此外,该器件广泛用于工业电源系统,包括UPS(不间断电源)、高压电源供应器和电机控制装置。在家电领域,HVM14也适用于需要高电压操作的高端变频空调、电热水器等产品。
由于其优异的短路耐受能力和高温稳定性,HVM14在安全要求较高的系统中也具有重要地位,例如铁路牵引系统、工业自动化设备和智能电网控制单元。
HVM14的替代型号包括Infineon的IMW120R030M1H、STMicroelectronics的STL120N10F7和ON Semiconductor的NVHL120N120H1