时间：2025/9/7 3:31:03
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HVM132WKTL是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为需要高效率和高性能的电源应用设计，适用于各种电源转换和电机控制电路中。HVM132WKTL采用了ROHM先进的高压MOSFET技术，具有优异的导通特性和低开关损耗，使其在高频率操作中表现尤为出色。该MOSFET采用紧凑的表面贴装封装，便于在现代电子设备中进行高密度布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：13A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-268（HVM132WKTL为表面贴装型）
HVM132WKTL具有多项关键特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具有较高的击穿电压能力，能够承受瞬态高压情况，提高了系统的可靠性。此外，HVM132WKTL优化了开关特性，减少了开关损耗，适用于高频电源转换应用。该MOSFET的封装设计支持良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。ROHM的制造工艺确保了该器件的高质量和一致性，适用于严苛的工业环境。最后，HVM132WKTL具备较强的抗过载和短路能力，提高了系统的安全性和稳定性。
HVM132WKTL广泛应用于各种电源管理系统和电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、UPS系统、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高效率和低导通电阻特性，该MOSFET特别适合用于需要高能效比和紧凑设计的电源应用。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，HVM132WKTL也能提供可靠的功率控制解决方案。
HVM126W, HVM136W, HVM120W
