时间：2025/9/7 1:43:28
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HVD380B是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制等高电压、高电流的电力电子系统中。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，能够有效提升系统的效率和可靠性。HVD380B通常采用TO-220或TO-263等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏-源电压(Vds)：380V
栅-源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流(Idm)：32A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω（最大0.55Ω）
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-220AB
HVD380B是一款高性能的高压MOSFET，具有出色的开关特性和导通性能。其漏-源耐压高达380V，使其适用于多种高压应用环境。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，HVD380B具备较强的过流和过温耐受能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其封装设计有利于快速散热，适用于高功率密度设计。HVD380B还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保护器件免受损坏。
HVD380B广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制电路、逆变器、充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高压开关控制部分。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于DC-DC转换器和高边开关电路。
IRF740, FQA8N40C, STP8NK50Z
