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H9CKNNNDFTMPLR-NUH 发布时间 时间:2025/9/1 20:02:59 查看 阅读:6

H9CKNNNDFTMPLR-NUH 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片设计用于满足高性能计算、服务器、网络设备以及其他需要高速内存处理的应用需求。H9CKNNNDFTMPLR-NUH采用了先进的DRAM技术,具备高带宽、低延迟和低功耗等优点,适用于需要稳定性和高性能的系统。

参数

类型:DRAM
  容量:2GB
  封装类型:FBGA
  电压:1.2V
  数据速率:2400Mbps
  接口:LPDDR4x
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据总线宽度:16位
  时钟频率:1200MHz

特性

H9CKNNNDFTMPLR-NUH DRAM芯片具有多个显著特性。首先,它采用LPDDR4x接口技术,提供高达2400Mbps的数据传输速率,能够显著提升内存带宽和系统性能。其次,该芯片的工作电压为1.2V,具有较低的功耗特性,适合对能效有高要求的应用场景。此外,其支持的宽温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种环境下的稳定运行。FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还增强了散热能力,适用于紧凑型设备的设计。最后,该芯片具备较高的可靠性和耐用性,适用于服务器、高端计算机以及工业控制等对稳定性要求较高的系统。

应用

H9CKNNNDFTMPLR-NUH主要应用于高性能计算设备、服务器、网络基础设施设备、高端个人电脑和工业控制系统等领域。其高带宽和低功耗特性使其成为需要大量数据处理能力和长时间稳定运行的应用的理想选择。此外,由于其紧凑的封装和宽温度范围的支持,该芯片也适用于嵌入式系统和工业自动化设备。

替代型号

H9CPNNNDPTMPLR-NUH,H9CRNNNDPTMPLR-NUH,H9CXNNNDPTMPLR-NUH

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