HVC385B3TRF是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专为需要高可靠性和高功率处理能力的应用设计。该晶体管属于NPN型,具有较高的最大工作电压和集电极电流额定值,适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及高功率开关电路等应用场景。该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够有效支持高功率密度设计。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):400V
最大集电极电流(IC):15A
最大功耗(PD):125W
增益(hFE):50 - 150(具体分档)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-247
HVC385B3TRF具备多项优异特性,适合高功率和高电压应用。其最大集电极-发射极电压(VCEO)达到400V,使该晶体管能够在高压环境中稳定工作。最大集电极电流为15A,允许其在高电流负载条件下运行,适用于电机控制、电源开关等应用。该晶体管的功耗额定值为125W,结合其TO-247封装形式,具有良好的散热能力,有助于提高器件的稳定性和可靠性。
此外,HVC385B3TRF的增益(hFE)范围在50至150之间,根据具体批次分档,确保设计者能够选择适合其电路需求的增益等级。该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,表明其具有良好的热稳定性,适用于宽温度范围内的工业和汽车电子应用。
从材料和制造工艺来看,HVC385B3TRF符合RoHS环保标准,适合现代电子制造中对环保材料的要求。其高可靠性和稳健性能使其成为工业自动化、电源管理、高功率开关和逆变器设计中的优选晶体管。
HVC385B3TRF主要应用于需要高电压和高电流能力的电子系统中。在工业控制领域,它可用于电机驱动器、继电器控制和高功率开关电路。在电源转换方面,该晶体管适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源供应器以及逆变器模块。此外,该器件也可用于高电压测试设备、工业自动化系统以及需要高可靠性的电源管理系统。由于其优良的热性能和宽工作温度范围,HVC385B3TRF也适用于汽车电子中的高功率负载控制,例如车灯控制、电动泵驱动和车载充电系统。
ST160N400BF、BU406、2SC5200