IXFK170N25X3 时间：2025/8/6 8:43:20 阅读：25

IXFK170N25X3 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高电流和高效率应用设计。该器件适用于工业电源、逆变器、电机控制和可再生能源系统等领域。该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和出色的热性能，能够在高频率下工作，提供卓越的功率转换效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：170A
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 13.5mΩ（在 VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V ~ 4.5V
　　最大功耗（Ptot）：400W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　引脚数：3
　　极性：N 沟道增强型

特性

IXFK170N25X3 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其低 RDS(on) 值使其适用于高电流应用，如直流电机驱动、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保在高频率下仍能保持良好的性能，同时降低开关损耗。此外，其高耐压能力（250V）使其能够用于高电压系统中，如太阳能逆变器和工业电源设备。
　　IXFK170N25X3 采用 TO-247AC 封装，具有良好的热管理能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。其设计允许通过散热器轻松散热，进一步提升器件的可靠性与寿命。
　　该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，并在极端工作条件下表现出色。由于其优异的电气性能和热稳定性，IXFK170N25X3 被广泛应用于各种高功率电子系统中。

应用

IXFK170N25X3 主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的功率电子系统。典型应用包括工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动器、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。此外，该器件也适用于电动汽车充电设备、储能系统和高功率音频放大器等对功率处理能力要求较高的应用。
　　在电机控制领域，IXFK170N25X3 可用于构建高效的 H 桥电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。其低导通电阻和高电流能力使其在大功率负载切换中表现出色。
　　在可再生能源系统中，如太阳能光伏逆变器和风能变流器，该 MOSFET 可作为功率开关元件，用于高效地将直流电转换为交流电并馈入电网。其高耐压和高效率特性也使其成为这些应用的理想选择。
　　此外，IXFK170N25X3 也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保电池组在安全和高效的状态下运行。