时间：2025/5/7 9:21:09
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HVC317BTRU是一款高压MOSFET晶体管，采用TO-252封装形式。该器件适用于高效率、高密度的电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其设计能够承受较高的漏源电压，并具备低导通电阻特性，从而优化了功率损耗和热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：800V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：4.6A
导通电阻Rds(on)：1.9Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：2.2W
结温范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252
HVC317BTRU具有高耐压能力，适合用于需要承受高电压的应用环境。同时，它还拥有较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。
该器件支持快速开关操作，可减少开关损耗，并且具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
此外，它的紧凑型TO-252封装使得PCB布局更加灵活，便于设计小型化和高效化的电力电子设备。
HVC317BTRU广泛应用于各种高电压场景下的功率转换电路中，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动控制
- 脉冲宽度调制（PWM）逆变器
- 电池充电管理
- LED照明驱动
由于其高耐压特性和低损耗优势，这款器件非常适合要求高可靠性和高效率的工业及消费类电子产品。
HVC318BTRU, HVC319BTRU
