工作电压范围：4.5V 至 20V
　　输出电流能力：±1.5A（典型值）
　　传播延迟时间：15ns（典型值）
　　上升时间：8ns（典型值）
　　下降时间：8ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：TSSOP

HVC202TRU 采用先进的 HVCMOS 工艺技术，能够在高达 20V 的电压下稳定工作，提供高效率的 MOSFET 驱动能力。其双通道设计支持独立控制，非常适合用于半桥或全桥式拓扑结构中的功率 MOSFET 或 IGBT 的栅极驱动。
　　该器件的输出驱动能力强，能够提供高达 ±1.5A 的峰值电流，确保功率器件快速开关，从而降低开关损耗。同时，HVC202TRU 的传播延迟时间仅为 15ns，具有出色的响应速度，适合高频开关应用。
　　为了提高系统的可靠性和安全性，HVC202TRU 内置欠压锁定（UVLO）功能，能够在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止因电压不足导致的误操作。此外，该器件还具有良好的抗干扰能力，能够在嘈杂的工业环境中保持稳定工作。
　　HVC202TRU 的 TSSOP 封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，提高了生产效率。其工作温度范围宽达 -40°C 至 +125°C，适合在各种恶劣环境下运行。

HVC202TRU 广泛应用于需要高压驱动能力的场合，如直流电机驱动器、步进电机控制器、DC-DC 转换器、逆变器、LED 照明驱动电路、工业自动化控制系统以及汽车电子中的功率管理模块。
　　在电机控制领域，HVC202TRU 可用于驱动 H 桥结构中的上下桥臂 MOSFET，实现电机的正反转控制。在电源转换设备中，它可作为功率 MOSFET 的高效驱动器，提升整体转换效率。此外，在汽车电子中，HVC202TRU 可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用，提供稳定可靠的驱动性能。

HVC202TRU 的替代型号包括 ROHM 的 HVC203TRU（集成更多保护功能）、TI 的 DRV8703D（集成过流保护和故障反馈）、ON Semiconductor 的 NCP5101（适用于高压半桥驱动应用）等。