HV90P-T 时间：2025/8/10 18:51:14 阅读：20

HV90P-T是一款高压MOSFET晶体管，常用于高电压、高功率的开关应用。该器件具有较高的耐压能力，适用于电源管理、电机控制以及工业自动化设备中的功率转换环节。作为一款P沟道MOSFET，它在导通时表现出较低的导通电阻，有助于降低功耗并提高整体效率。其封装设计有助于散热，适用于需要高可靠性和稳定性的工业级应用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：9A
　　导通电阻(Rds(on))：约1.2Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：125W

特性

HV90P-T具有较高的耐压能力，能够承受高达900V的漏源电压，适用于高电压应用场景。其P沟道结构在导通状态下表现出较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的栅极电压范围较宽，支持±30V的操作，使其兼容多种驱动电路。此外，HV90P-T具备良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境。其TO-220封装设计有助于有效散热，确保在高功率条件下仍能维持稳定性能。同时，该器件具备较强的抗过载能力，能够在短时高电流条件下正常运行，提高了系统的可靠性。
　　

应用

HV90P-T广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。常见的应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、工业自动化设备以及照明控制系统。在电源管理领域，该器件可用于构建高效率的功率转换模块，以降低能耗并提高系统稳定性。此外，HV90P-T也可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率开关部分，确保在高电压条件下仍能实现可靠的开关操作。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，该器件也适用于需要长期运行和高可靠性的工业设备。