类型：高压栅极驱动器
　　通道数：2（高侧和低侧）
　　最大电源电压：+400 V
　　逻辑输入兼容性：TTL / CMOS
　　峰值输出电流：±300 mA
　　输出源电流（典型）：230 mA
　　输出灌电流（典型）：270 mA
　　传播延迟（典型）：60 ns
　　上升时间（典型）：25 ns
　　下降时间（典型）：20 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　引脚数：28
　　封装类型：PDIP-28
　　高侧浮动电压范围：-5V 至 +400V
　　低侧接地参考电压：0V 至 5V
　　输入信号延迟匹配：≤15ns
　　欠压锁定（UVLO）阈值（低端）：约10.5V（开启），9.5V（关闭）
　　高侧UVLO阈值：约10.5V（开启），9.5V（关闭）
　　静态功耗（典型）：<1.5 mA
　　输入电阻（逻辑端）：>1 MΩ

HV5222PJ具备出色的高压隔离与电平转换能力，其核心优势在于集成的高压浮动通道技术，允许高侧驱动器在相对于地电位浮动的条件下正常运行。这种设计使得它非常适合用于半桥配置中驱动高边N沟道MOSFET，从而避免使用成本更高且效率较低的P沟道器件。该器件的电平移位电路基于边沿触发调制技术，通过内部振荡器和解调器实现可靠的数据传输，即使在存在强烈共模噪声的情况下也能保持信号完整性。相比传统的电阻电容耦合或光耦隔离方案，这种集成化方法显著减小了外围元件数量，提高了系统可靠性并节省了PCB空间。
　　另一个关键特性是其强大的抗干扰能力。HV5222PJ具有极高的dv/dt耐受性，在开关节点快速变化时不会误触发高侧驱动器，这得益于其优化的工艺设计和内部屏蔽结构。这一性能对于在高频、高功率密度的开关电源或逆变器系统中至关重要，可有效防止上下桥臂直通短路。同时，其匹配的传播延迟特性确保了上下管的开关时序一致性，有助于降低死区时间需求，提升整体转换效率。
　　器件还集成了全面的保护机制，包括针对高低侧驱动器的欠压锁定（UVLO）功能。当VDD或VB至VS之间的电压未达到启动阈值时，输出将被强制拉低，防止功率管处于线性导通状态导致过热损坏。此外，HV5222PJ的输出级采用图腾柱结构，提供较强的驱动能力，能够在短时间内对MOSFET栅极进行充放电，从而加快开关速度，减少开关损耗。其PDIP-28封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备一定的散热能力，适合工业环境中长期稳定运行。

HV5222PJ广泛应用于各类需要高压半桥驱动的电力电子系统中。典型应用场景包括交流电机驱动器、无刷直流电机（BLDC）控制器、感应加热设备、电子镇流器以及太阳能逆变器等。在这些系统中，它常作为驱动H桥或半桥功率级的核心组件，负责将来自微控制器或PWM控制器的低压逻辑信号转换为足以驱动高电压功率MOSFET或IGBT的栅极驱动信号。
　　在开关电源领域，尤其是LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中，HV5222PJ可用于驱动主开关管，提供高效、低延迟的控制响应。由于其支持高达400V的浮动电压，因此也适用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管驱动。在工业自动化设备中，如伺服驱动器或变频器，HV5222PJ帮助实现精确的电机相位控制，提升系统动态响应性能。
　　此外，该芯片还可用于UPS（不间断电源）、电动汽车车载充电模块、LED大功率恒流驱动电源等高可靠性要求的应用场景。其TTL/CMOS兼容输入接口简化了与数字控制器的连接，无需额外电平转换电路，进一步降低了系统复杂度。凭借其坚固的设计和宽温工作范围，HV5222PJ特别适合部署在高温、高湿或强电磁干扰的工业现场环境中长期运行。

HV5222PG
　　IR2110S
　　IR2112S
　　UCC27712ADWR
　　FAN7382XK