HV513WG-G 时间：2025/7/25 9:06:41 阅读：11

HV513WG-G 是由 Microchip Technology 生产的一款高压栅极驱动器集成电路，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片采用增强型高压工艺制造，能够在高电压和高频率环境下稳定工作，广泛应用于电机控制、电源转换、工业自动化等领域。

参数

工作电压范围：10V - 20V
　　输出驱动电压：最高可达 600V
　　输出电流（峰值）：1.5A（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-16
　　输入信号类型：TTL/CMOS 兼容
　　传播延迟：120ns（典型值）

特性

HV513WG-G 提供了高边和低边双通道栅极驱动功能，具备优异的抗干扰能力和可靠性。
　　芯片内置了欠压锁定保护（UVLO）功能，当供电电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止功率器件误操作。
　　其采用的浮地技术能够支持高达 600V 的工作电压，适用于多种拓扑结构，如半桥、全桥、推挽式电路等。
　　此外，HV513WG-G 还具有快速响应的传播延迟特性，确保在高频开关应用中保持良好的同步性和效率。
　　该芯片的输入端与标准逻辑电平兼容，简化了与控制器（如微处理器或DSP）的接口设计。
　　在封装方面，HV513WG-G 采用 SOIC-16 表面贴装封装，具有良好的热稳定性和空间利用率，适合高密度PCB设计。

应用

HV513WG-G 主要用于需要高压隔离驱动的场合，例如：电机驱动器、逆变器、开关电源（SMPS）、DC-AC 转换器、工业自动化控制系统、UPS不间断电源、照明镇流器以及新能源设备如太阳能逆变器等。
　　由于其高集成度和稳定性，该芯片在需要高可靠性和高性能的工业级应用中表现出色。
　　它常被用于三相或单相逆变器设计中，作为功率MOSFET或IGBT的直接驱动器件，简化电路设计并提高整体系统效率。
　　在电机控制领域，HV513WG-G 可用于驱动BLDC（无刷直流电机）或PMSM（永磁同步电机）的功率桥式电路。
　　同时，该芯片也适用于需要高侧/低侧配置的同步整流电路中，以提升电源转换效率。