HV2220Y182JXVATHV 是一款高性能的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率、高效率的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、工业控制等领域。
该型号中的部分标识代表其封装形式、电压等级以及特定的工作条件。HV 系列以其卓越的耐压能力和稳定性著称,适合在恶劣环境下工作。
类型:MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
总功耗(Ptot):300W
结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
HV2220Y182JXVATHV 具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:高达800V的漏源电压使其能够承受高电压环境,适用于多种高压应用。
2. 低导通电阻:Rds(on)仅为0.18Ω,在大电流条件下降低导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度:优化的内部结构使其具有较低的输入电容和输出电荷,从而实现更快的开关性能。
4. 强大的热管理能力:通过大功率封装和高效的散热设计,可以有效管理高温工作状态下的热积聚。
5. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下可靠运行,适应各种工业场景。
6. 抗雪崩能力:内置雪崩保护机制,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
HV2220Y182JXVATHV 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高电压输入的AC-DC转换器,提供高效的能量转换。
2. 电机驱动:支持大功率电机驱动电路,包括电动车、家用电器等领域的电机控制。
3. 工业控制:在工业自动化设备中,用于各类高压控制和功率调节模块。
4. 不间断电源(UPS):作为核心功率器件,保证系统在异常情况下的持续供电。
5. 能量存储系统:用于电池充放电管理,确保系统的稳定性和高效性。
6. 照明系统:应用于高压LED照明驱动电路,提供稳定的电流输出。
HV2220Y182JXVATHV, IRFP460, STP18NF08L, FQA18N80C