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HV1812Y681JXVATHV 发布时间 时间:2025/7/12 4:09:56 查看 阅读:18

HV1812是一款高性能的高压MOSFET驱动器芯片,广泛应用于需要高效率和高速开关的电路设计中。该芯片能够驱动N沟道或P沟道MOSFET以及IGBT,支持较高的输出电压摆幅,确保了高效的功率转换。其内置保护机制和优化的驱动特性使其非常适合于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。
  该芯片具有较宽的工作电压范围,并且集成了欠压锁定(UVLO)、短路保护和过温保护等功能,提高了系统的可靠性和稳定性。

参数

工作电压:4.5V至20V
  峰值输出电流:±4A
  传播延迟:50ns
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:SOIC-8
  输入阈值电压:1.2V
  上升/下降时间:10ns

特性

HV1812具备卓越的驱动性能和多种保护功能,确保在各种复杂环境下稳定运行。其主要特性包括:
  1. 高峰值输出电流,可以快速充放电以满足大容量MOSFET的需求。
  2. 内置死区控制功能,防止上下桥臂直通。
  3. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗。
  4. 提供精确的输入阈值电压,便于与逻辑电路兼容。
  5. 集成完善的保护功能,如欠压锁定和过温保护,增强了器件的可靠性。
  6. 封装紧凑,易于焊接和布局,适合高密度设计需求。

应用

HV1812适用于多种高压和高频应用场合,例如:
  1. 开关电源中的同步整流驱动。
  2. DC-DC转换器的功率级驱动。
  3. 电机驱动控制器中的栅极驱动。
  4. 逆变器和光伏系统中的功率模块控制。
  5. LED驱动电路中的高效开关控制。
  由于其出色的驱动能力和保护机制,HV1812成为许多功率电子应用的理想选择。

替代型号

HV1811, IR2110, TC4427

HV1812Y681JXVATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥6.17537卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定4000V(4kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-