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IRL3102PBF 发布时间 时间:2025/5/22 22:49:28 查看 阅读:5

IRL3102PBF是Infineon(英飞凌)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其低导通电阻和高开关速度特性使其非常适合于需要高效能和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:67A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):4.4mΩ
  总栅极电荷:9nC
  输入电容:2140pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRL3102PBF具有非常低的导通电阻,这有助于减少导通状态下的功耗,并提高整体效率。
  它还拥有快速的开关速度,能够适应高频应用需求。
  此外,其具备强大的电流承载能力,可以满足大功率应用场景的要求。
  该器件的高结温能力和宽工作温度范围使得它在恶劣环境条件下也能稳定运行。
  同时,SO-8封装形式提供了良好的散热性能和易于安装的特点。

应用

IRL3102PBF适用于多种电力电子领域,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、电机控制与驱动、负载开关、逆变器以及电池管理系统等。
  在消费类电子产品中,它可以用于笔记本电脑适配器、电视电源等。
  工业领域中,可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等设备。
  汽车电子方面,适合用于电动助力转向系统(EPS)、空调压缩机控制等应用。

替代型号

IRF3205, IRLZ44N, FDP5500

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IRL3102PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 37A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 15V
  • 功率 - 最大89W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3102PBF