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HV1812Y271JXMATHV 发布时间 时间:2025/7/12 4:07:35 查看 阅读:10

HV1812Y271JXMATHV 是一款高压 MOSFET 芯片,主要用于高电压应用场合。该芯片采用先进的制造工艺,能够提供卓越的电气性能和可靠性。它通常应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压控制的电子设备中。
  这款芯片以其低导通电阻和快速开关特性而著称,能够在高效率和高可靠性的要求下运行。

参数

最大漏源电压:650V
  持续漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  开关速度:50ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

HV1812Y271JXMATHV 提供了以下关键特性:
  1. 高耐压能力,适合多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
  3. 快速开关特性,减少开关损耗并优化动态性能。
  4. 高可靠性和稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 小型封装设计,节省PCB空间,便于系统集成。
  6. 具备过热保护和短路保护功能,提高整体系统的安全性。

应用

HV1812Y271JXMATHV 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,包括无刷直流电机(BLDC) 和步进电机。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
  4. 工业自动化设备中的高电压控制模块。
  5. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS) 和制动系统。
  6. LED 驱动器和高亮度照明解决方案。

替代型号

IRF840,
  STP12NM65,
  FDP16N65,
  IXYS IXFN12N65T2

HV1812Y271JXMATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥8.65983卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定5000V(5kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-