类型：GaN HEMT
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值 100 W（脉冲模式）
　　漏极电压：最大 65 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　输入阻抗：50Ω
　　增益：典型值 12 dB
　　效率：典型值 60%
　　封装尺寸：符合行业标准
　　热阻：典型值 1.5°C/W

HTG2130 的主要特性之一是其基于 GaN-on-SiC 技术的结构，提供了优异的热管理和高频性能。这种材料组合使得器件能够在高功率密度下运行，同时保持较低的热阻，从而提高可靠性和寿命。此外，HTG2130 具有高击穿电压（65V），允许在更高的电压下工作，从而提升输出功率和效率。
　　在射频性能方面，HTG2130 支持 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的工作频率范围，覆盖了多种无线通信频段，例如 LTE、WiMAX 和 5G 应用。其高增益（12dB）和高效率（60%）特性使其成为高线性度和高效能要求的放大器设计的理想选择。
　　该器件采用表面贴装封装，便于自动化生产和高密度电路设计。此外，HTG2130 具有良好的热稳定性，能够在极端环境条件下（-55°C 至 +150°C）稳定工作，适用于航空航天、军事雷达和工业控制系统等严苛环境。

HTG2130 主要用于高性能射频功率放大器的设计，适用于以下领域：
　　? 无线通信基础设施：如 4G/5G 基站、WiMAX 和 LTE 放大器模块。
　　? 雷达和国防系统：包括相控阵雷达、电子战设备和高频信号发射器。
　　? 工业与测试设备：如高频加热系统、射频测试仪器和工业自动化设备。
　　? 广播和卫星通信：用于高功率发射器和中继设备中，提供稳定的射频输出。
　　由于其高功率密度和高频率性能，HTG2130 在需要高效能和高可靠性的应用中具有显著优势。

HTG2135, HTG2140