时间：2025/8/2 7:02:38
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HUFA76407D3S是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的U-MOS V沟槽工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。HUFA76407D3S采用SOP（Small Outline Package）封装形式，适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：最大13.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP8
HUFA76407D3S采用了东芝先进的U-MOS V沟槽技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其RDS(on)值在VGS=10V时最大仅为13.5mΩ，这使得该MOSFET在高电流应用中表现尤为出色。
该器件的漏源耐压为30V，栅源耐压为±20V，具备良好的电压承受能力，适用于多种中低压功率转换应用。同时，其最大连续漏极电流可达10A，适合用于中高功率负载的控制。
此外，HUFA76407D3S采用SOP8封装，具有良好的热性能和电气性能，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。该封装形式也提供了良好的空间利用率，适合在紧凑型电子设备中使用。
这款MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，能够在多种环境条件下稳定工作，适用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等多种应用场景。
HUFA76407D3S广泛应用于需要高效功率控制的电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于笔记本电脑、服务器电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流拓扑，显著提高转换效率并减少热量产生。在电机驱动应用中，它能够提供快速的开关响应和稳定的电流控制，适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。
此外，由于其SOP8封装形式便于PCB布局和自动化组装，HUFA76407D3S也常用于需要高集成度和高可靠性的嵌入式系统和消费类电子产品中。
SiSS52DN, TPS62175, FDMS86180, NexFET CSD17551Q5A
