时间：2025/8/2 6:36:38
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HUFA75307D3ST是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：20V
连续漏极电流(ID)：100A
导通电阻(RDS(on))：3.0mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：4.0mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD)：170W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：D3PAK
引脚数：3
HUFA75307D3ST的主要特性之一是其极低的导通电阻，在VGS=10V时仅3.0mΩ，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件采用了安森美半导体的Trench沟槽技术，确保了优异的开关性能和热稳定性。
另一个重要特性是其高电流承载能力，能够支持高达100A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有良好的热管理能力，封装设计支持高效的散热，从而在高温环境下也能保持稳定运行。
HUFA75307D3ST的栅极驱动电压兼容性良好，支持10V和4.5V驱动，适用于多种栅极驱动器方案。这种灵活性使得该器件可以在不同的应用环境中使用，例如同步整流、电池管理系统和工业电源等。
此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下提供更强的稳定性和耐用性，从而提高系统的整体可靠性。
HUFA75307D3ST广泛应用于各类功率电子系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业电源设备。由于其高效率和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高电流和高可靠性的电源转换场景。
在汽车电子领域，HUFA75307D3ST可用于车载充电系统、电池管理系统以及电机控制模块，以满足对高可靠性和热稳定性的严格要求。此外，在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制大功率负载，如伺服电机、电磁阀和直流电机。
由于其良好的散热性能和高功率处理能力，该器件也被广泛用于服务器电源、通信设备电源模块以及UPS不间断电源系统中，以提升电源转换效率并降低系统功耗。
另外，HUFA75307D3ST还可用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电桩等新能源应用中，以支持高效率的电能转换与管理。
FDP100N30, IRF1405, STP100N3LL
