时间：2025/12/23 13:36:57
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HUF76633S3ST 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能电源转换应用。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供出色的散热性能和紧凑的安装尺寸，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：13nC
开关时间：ton=18ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HUF76633S3ST 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用需求。
3. 快速的开关速度，适合高频操作场景。
4. 小巧的 DPAK 封装设计，便于集成到各种电路板中。
5. 宽广的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用于现代电子产品中。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 各种负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备及家电中的功率管理模块。
5. LED 照明系统的恒流驱动电路。
其高效率和可靠性的特性使其成为众多高性能电力电子应用的理想选择。
HUF76633P3, HUF76633S3LL, IRFZ44N
