RS3G14XM是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效的性能。
RS3G14XM的设计使其能够承受较高的电压和电流负载,同时具备出色的热稳定性和可靠性,适合各种严苛的工作环境。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:19nC
总电容:1700pF
功耗:18W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 低导通电阻设计,降低了传导损耗,提高了系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持高效运行。
4. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
5. 小型化封装,节省了PCB板空间,便于紧凑型设计。
6. 可靠性高,经过严格的测试验证,满足工业级应用需求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 汽车电子系统
5. 工业自动化设备
6. 电池管理与保护
7. 充电器及适配器
8. 照明驱动电路
IRF3205
STP14NM60
SI4486DY