时间：2025/5/20 19:03:22
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HUF76429D3S是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-252封装形式。它属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该器件具有较低的导通电阻和较高的工作电压，能够提供高效的功率转换和出色的热性能。
型号：HUF76429D3S
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：38A
功耗：25W
f（工作频率）：高达1MHz
Vgs（栅源电压）：±20V
结温范围：-55℃至+175℃
HUF76429D3S采用了先进的半导体制造工艺，具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，从而减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高度稳定的动态性能，适合高频开关应用。
3. 优秀的热性能和高耐用性，使其能够在恶劣环境下可靠运行。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 提供快速开关速度，降低开关损耗。
6. 内置反向二极管，支持续流保护功能。
HUF76429D3S的设计确保了其在各种电子设备中的广泛应用，尤其在需要高效能和小型化解决方案的场合中表现突出。
这款MOSFET晶体管适用于多种工业和消费类电子产品领域，具体包括：
1. 开关模式电源(SMPS)及适配器设计。
2. DC-DC转换器模块中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关应用，例如USB充电端口保护。
5. 电池管理系统中的功率路径管理。
HUF76429D3S凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为这些应用的理想选择。
HUF76429P3
HUF76429D3
IRF7642TRPBF
