IXGN72N60C3H1 时间：2025/8/6 7:26:32 阅读：25

IXGN72N60C3H1是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件设计用于高效能的电源转换系统，例如电源供应器、不间断电源（UPS）、马达驱动和太阳能逆变器等。IXGN72N60C3H1采用了第三代COOLMOS?技术，提供了较低的导通电阻和开关损耗，从而提高了整体系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：72A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值0.185Ω（典型值0.155Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值2.1V至4.0V
　　最大功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXGN72N60C3H1具有多种卓越的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻非常低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，其高电压和大电流能力使其适用于要求苛刻的工业应用。
　　此外，IXGN72N60C3H1采用了先进的封装技术，确保良好的热管理和机械稳定性，能够在恶劣的工作环境中可靠运行。器件的栅极驱动需求较低，减少了驱动电路的复杂性和成本，同时提高了开关速度和效率。
　　值得一提的是，这款MOSFET具备良好的抗雪崩能力，可以在突发高能量事件中保护器件不受损坏，从而延长系统的使用寿命。最后，IXYS为这款器件提供了全面的技术支持和应用指南，方便工程师进行设计和优化。

应用

IXGN72N60C3H1广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源供应器：用于服务器、计算机和工业设备的高效电源转换模块。
　　2. 不间断电源（UPS）：作为核心开关元件，实现高效的能量转换和稳定的输出电压。
　　3. 马达驱动：用于工业自动化和电机控制系统，提供高效的电机控制方案。
　　4. 太阳能逆变器：在光伏逆变器中用于将直流电转换为交流电，提高太阳能系统的整体效率。
　　5. 电动汽车充电设备：作为关键的功率开关，用于高功率充电站的设计和实现。
　　6. 其他电力电子应用：包括工业加热设备、电池充电器和高功率LED照明系统。