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HUF76419S 发布时间 时间:2025/8/25 5:32:57 查看 阅读:18

HUF76419S是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。HUF76419S采用先进的工艺制造,适用于各种高要求的电源管理应用,如DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等。该器件封装为D2PAK,便于散热和安装,适用于高电流负载的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A(在25°C时)
  最大漏极-源极电压(VDS):30V
  最大栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为4.2毫欧(典型值可能更低)
  功率耗散(PD):250W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:D2PAK(表面贴装)

特性

HUF76419S具有多项优异的电气和机械特性,确保其在严苛环境下的稳定运行。首先,其低导通电阻(RDS(on))使得在高电流工作条件下,功率损耗显著降低,提高了整体系统的效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力,最大漏极电流可达100A,适用于高功率应用场景。
  其次,HUF76419S具备良好的热性能,采用D2PAK封装,具有较高的散热能力,能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+175°C,适应性强,适用于工业级和汽车电子应用。
  该MOSFET还具备快速开关特性,栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高转换效率。这对于高频开关电源和电机控制应用尤为重要。
  此外,HUF76419S的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的逻辑电平控制(如5V或10V),便于与各种控制器或驱动电路配合使用。同时,其具备较高的抗静电能力和过载保护能力,增强了器件的可靠性和耐用性。

应用

HUF76419S广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理系统,提供高效率的能量转换。
  2. **电机控制**:作为H桥电路中的功率开关,用于电机驱动和控制,适用于电动工具、电动车和工业自动化设备。
  3. **汽车电子**:用于汽车电源系统、电池管理系统(BMS)以及车载充电器等应用,满足汽车行业的高可靠性要求。
  4. **工业设备**:在工业自动化设备、伺服电机控制器和高功率LED照明系统中,作为主功率开关器件使用。
  5. **消费电子产品**:用于高功率密度的电源适配器、移动电源和储能系统中,提升产品能效和稳定性。

替代型号

HUF76419S的替代型号包括HUF76418D3S、HUF75347PBF、IRF1404ZSPBF、SiSS76419ADN-T1-GE3

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