FFMA203 时间：2025/8/13 14:55:20 阅读：6

FFMA203 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和高可靠性，适用于各种电源管理和功率转换场合。FFMA203 通常采用 TO-220 或 D2PAK（TO-263）封装形式，便于在散热要求较高的应用中使用。其主要特点包括高温稳定性好、热阻低、易于并联使用等。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220 或 D2PAK（TO-263）

特性

FFMA203 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。这种 MOSFET 在高电流条件下依然保持良好的性能，适合用于高功率密度的设计。此外，FFMA203 具有快速的开关速度，能够在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提高响应速度。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担。
　　该器件还具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。TO-220 和 D2PAK 封装设计提供了良好的散热能力，确保在高功率应用中不会因为过热而损坏。FFMA203 还具备较强的抗过载能力，可以在短时间内承受高于额定值的电流和电压，从而提高了系统的可靠性。
　　另一个显著的优势是其良好的并联能力，多个 FFMA203 可以并联使用以增加电流承载能力，而不会出现严重的电流不平衡问题。这使得它在需要大电流输出的电源系统中具有很高的灵活性。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品。

应用

FFMA203 主要应用于需要高效功率转换和高电流承载能力的场合。例如，它可以用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各类工业自动化设备中的功率控制部分。在汽车电子领域，FFMA203 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源系统。由于其优异的热性能和可靠性，该器件也非常适合用于不间断电源（UPS）、服务器电源和电信设备电源等高要求的电源系统中。此外，在光伏逆变器和储能系统中，FFMA203 也可以作为关键的功率开关元件使用。