时间：2025/6/29 12:37:46
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HUF76407DK8T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高效 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高性能电源管理应用。
其封装形式为 DPAK（TO-263），适合表面贴装工艺，并且在散热性能方面表现优异，能够满足严格的工业标准和汽车级应用需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：51A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷（典型值）：72nC
总电容（输入、输出和反向传输电容）：2350pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
HUF76407DK8T 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关电源和电机驱动器等应用。
3. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在恶劣环境下的可靠性。
4. 提供强大的雪崩能力和短路保护功能，增强了器件的鲁棒性。
5. 采用无铅封装设计，符合 RoHS 环保要求。
6. 小型化封装，便于 PCB 布局优化。
HUF76407DK8T 广泛应用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器、启动停止系统和电动助力转向系统。
2. 工业自动化设备中的电机控制和逆变器模块。
3. 开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器。
4. 各种消费类电子产品中的负载开关和电池管理系统。
5. 高电流同步整流电路及 LED 驱动器。
HUF76407DTRK, HUF76407DTR, HUF76407DT3G
