时间：2025/12/29 13:51:09
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HUF76137S3ST 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高效率的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流承载能力，适用于汽车电子、工业控制、电源转换器和电机驱动等多种应用。HUF76137S3ST 采用 TSOP（小外形晶体管）封装，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：130W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
HUF76137S3ST MOSFET 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其 RDS(on) 值在 VGS = 10V 时仅为 2.2mΩ，使其适用于高电流应用。此外，该器件具有较高的电流承受能力，在短时间过载条件下仍能保持稳定工作。
该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，使得在高频率开关应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和散热能力。其封装形式为 TSOP，尺寸小巧，适合高密度 PCB 设计。HUF76137S3ST 还具有良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，使其在极端环境条件下仍能可靠运行。此外，HUF76137S3ST 提供良好的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣应用环境中的可靠性。
HUF76137S3ST MOSFET 主要用于需要高效率和高电流处理能力的电源管理应用。它广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起动机和发电机系统、DC-DC 转换器以及车身控制模块。此外，该器件也常用于工业控制设备，如伺服电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及高性能开关电源（SMPS）。
由于其快速开关特性和低导通电阻，HUF76137S3ST 也适用于同步整流器、负载开关、热插拔电路和电机控制电路。其高可靠性和耐久性使其成为工业自动化和通信基础设施中不可或缺的元件。
SiR142DP, FDS4410A, IRF6717, BSC010N03LS
