时间：2025/9/14 12:11:41
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BUK7M19-60EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻、高雪崩能量承受能力和良好的热稳定性。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和汽车电子系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
连续漏极电流(ID)：20A（在Tc=25°C时）
脉冲漏极电流(IDM)：80A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：典型值为5.3mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
功耗(Ptot)：130W
雪崩能量能力：450mJ（单次雪崩能量）
BUK7M19-60EX具有多项优异的电气和物理特性。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的TrenchFET技术，使MOSFET在高频率下仍能保持稳定的性能，适用于高频开关应用。此外，其高雪崩能量承受能力确保了在过压和短路等异常工况下的可靠性，提高了系统的安全性和稳定性。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，适合用于汽车电子、工业电源等对温度要求较高的应用场景。其封装形式为TO-220AB，便于散热并适用于标准的PCB安装工艺。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计与制造。
BUK7M19-60EX广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和电源模块中，以提高能效和功率密度。在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机，实现高效的运动控制。
此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用。在汽车电子方面，BUK7M19-60EX可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等，满足汽车电子对可靠性和性能的高要求。同时，它还可用于工业自动化设备、服务器电源和电信设备等高性能电子系统。
IPB096N06N、IRFZ48N、STP20NK60Z、FDPF085N60、SiR178DP
