类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.75mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　安装类型：表面贴装

HUF76132SKST 具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，极大地降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。在 10V 栅极驱动电压下，其导通电阻仅为 1.75mΩ，非常适合用于需要高电流和低损耗的应用，如 DC-DC 转换器和负载开关。
　　其次，该器件具有高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 80A，使得它能够应对高功率需求的场景。此外，其耐受电压高达 30V，在多种电源拓扑结构中均可稳定工作。
　　HUF76132SKST 的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），属于表面贴装型（SMT），便于自动化生产和 PCB 布局，同时具备良好的散热性能。这种封装方式有助于降低热阻，提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较强的抗过压能力，适用于多种栅极驱动电路设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　综上所述，HUF76132SKST 凭借其低导通电阻、高电流能力、良好的封装散热性能和宽工作温度范围，是一款适用于多种高功率、高效率电源管理应用的高性能 N 沟道功率 MOSFET。

HUF76132SKST 适用于多种电源管理与功率控制应用，广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源模块。此外，它也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向控制单元。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也可用于高温环境下的工业控制和电源供应设备。

Si7326DP, IRF7832, FDS6680, IPB013N03LG