时间：2025/7/7 18:24:09
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RF15N2R4B500CT 是一款射频 (RF) 增强型 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，适用于高频和高效率应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，广泛用于射频功率放大器、无线通信设备和高效能开关电路。
该型号具有高击穿电压和低栅极电荷的特点，使其非常适合需要高频操作和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：8A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：3nC
总电容：690pF
功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RF15N2R4B500CT 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率；同时具备快速的开关速度，能够支持高频操作环境。其高击穿电压确保了在高压条件下的稳定性，而较低的栅极电荷使得驱动更加容易。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度范围内保持性能。
由于采用了优化的封装设计，RF15N2R4B500CT 能够提供高效的散热能力，从而延长使用寿命并增强整体系统的稳定性。
该器件通常用于射频功率放大器、Doherty 放大器设计、基站发射器、无线通信设备、高效 DC-DC 转换器以及各种工业控制和消费类电子产品中的高频开关应用。它还适合于需要高性能和高可靠性的汽车电子领域。
RF15N2R4B450CT, RF15N2R4B550CT
