HUF76129P3 时间：2025/12/29 14:14:50 阅读：10

HUF76129P3是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特性。这款MOSFET属于P沟道类型，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。其紧凑的封装形式和优异的电气性能使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。

参数

类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：D2PAK（TO-263）

特性

HUF76129P3具备多项优异的电气和物理特性。其采用先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在100A的连续漏极电流下仍能保持稳定运行，适合高功率密度设计。HUF76129P3还具有良好的热稳定性，其D2PAK封装提供了出色的散热性能，确保在高负载条件下也能维持较低的工作温度。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，提高了设计的灵活性。此外，它具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而增强系统的可靠性。由于其高耐用性和稳定性，HUF76129P3适用于各种苛刻环境下的电源管理应用。
　　另一个重要特性是HUF76129P3的封装设计。D2PAK（TO-263）是一种表面贴装封装，具有良好的热管理和空间利用率，非常适合用于自动化装配和高密度PCB布局。这不仅有助于提高生产效率，还能有效降低整体系统的尺寸和重量。此外，该封装还具备良好的机械强度和耐久性，可承受一定的机械应力，确保在振动和冲击环境下仍能正常工作。综合来看，HUF76129P3凭借其低Rds(on)、高电流能力、优良的热管理和高可靠性，成为高性能功率转换应用中的理想选择。

应用

HUF76129P3广泛应用于多个领域，包括汽车电子、工业电源、消费类电子产品和通信设备。在汽车电子系统中，该器件可用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）系统、DC-DC转换器和车载充电器（OBC）。由于其高可靠性和耐高温特性，HUF76129P3特别适合在严苛的汽车环境中运行。在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器和服务器电源等高功率应用。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、游戏主机和高性能电源适配器，HUF76129P3可以提供高效的电源管理解决方案。此外，在通信基础设施中，该器件可用于基站电源模块、光模块供电系统等关键部件，确保系统长时间稳定运行。