HUF76121S 时间：2025/8/25 4:03:58 阅读：21

HUF76121S是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等高功率应用中。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。其封装形式为DPAK（TO-252），适合表面贴装，便于散热和集成到各种电子系统中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大）
　　连续漏极电流（ID）：84A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：94W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

HUF76121S MOSFET具备多项优异性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，这对于高功率密度设计尤为重要。
　　其次，该器件具有高电流承载能力，支持高达84A的连续漏极电流，适用于需要大电流驱动的场合，如电动工具、汽车电子和工业控制。
　　该MOSFET采用Trench沟槽工艺，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和稳定性，同时在高频开关应用中表现出色，有助于实现更紧凑的电路设计。
　　此外，HUF76121S的DPAK封装结构具有良好的热性能，能够有效地将热量传导至PCB，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　在可靠性方面，HUF76121S通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统，具备出色的抗静电能力和长期稳定性。

应用

HUF76121S广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及汽车电子控制模块。
　　在汽车领域，该器件可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器等，满足汽车电子对高可靠性和高稳定性的要求。
　　在工业控制方面，HUF76121S常用于伺服电机驱动、工业自动化设备和UPS不间断电源系统中，提供高效的功率开关解决方案。
　　此外，它也适用于消费类电子产品中的高功率应用，如智能家电、大功率LED驱动和便携式储能设备。