时间：2025/7/11 22:17:37
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HUF75645S3ST是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用TO-263（D2PAK）封装形式。该器件适用于多种高效能开关应用场合，例如DC-DC转换器、电机驱动电路以及负载开关等。其低导通电阻特性可以显著降低功率损耗，并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：49nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至150℃
HUF75645S3ST具有出色的热性能和电气性能。其低导通电阻使得在高电流条件下产生的热量更少，从而提高了整体效率。同时，该器件具备快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，特别适合高频应用环境。
此外，其坚固的设计允许在恶劣环境下运行，包括高温或高湿度条件下的长时间使用。由于采用了先进的制造工艺，这款MOSFET还拥有较高的可靠性和稳定性，为设计工程师提供了更多的灵活性。
HUF75645S3ST广泛应用于汽车电子领域，如发动机控制单元、变速器控制模块和电动助力转向系统中。除此之外，它也适用于工业自动化设备中的电机驱动电路、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及其他需要高效功率管理的场合。
它的高电流承载能力和低导通电阻使其成为大功率应用的理想选择，同时也能满足消费类电子产品对紧凑型设计的需求。
HUF75645S3LST,HUF75645T3ST
